IC / MEMS Packaging.

半導体 / MEMS パッケージング

パッケージ生産技術で未来を創る

半導体/MEMSパッケージの委託生産拠点としてだけではなく、テクノロジーリーダーとして最先端の製品設計に努めております。

お客様のご要望に合わせた超小型ノンリード等のカスタムデザインのICパッケージ
SOT、SOP等の汎用的なパッケージ
受発光素子向けの透明樹脂パッケージ
MEMS/センサ向けの中空パッケージ
チップ露出等の特殊パッケージ

工程設計から設備・材料選定・試作・量産・品質維持まで誠意を持ってお客様と共に創り上げます。
EMS企業として、お客様の新たな開発ニーズに対し妥協なき品質とコストパフォーマンスを高レベルで実現する新しいパッケージをカタチにするため常に技術の追求・挑戦をしています。

オリジナルの超小型ノンリード・パッケージ（USBタイプ）

USB（Ultra Small Board）パッケージはアルスのパッケージ技術により生み出された、超小型、低背を可能にしたノンリードタイプのパッケージです。シンプルな構造のため、短リードタイムで多様なお客様の開発・生産要求にお応えします。

従来型パッケージに比べ小さい実装面積と高いパッケージ許容損失。
シンプルな構造のため、特別な設備投資を抑えて短期間での開発が可能。
用途に応じて3種類の基板を選択可能（ガラエポ、電鋳、銅フレーム）。

USB Aタイプ（ガラエポ基板）

基板フレームはガラスクロス入りエポキシ基板t0.1㎜。
リード部のブラインドビア(窪み)で、実装時のフィレット形成と検査視認性が向上。
外部デザインはJEITA規格に準拠。
内部デザインの工夫により、小型パッケージでも搭載可能チップサイズは最大に。またMCMとしても最適。
外装処理は金(Au)0.2～0.8μmで鉛フリー対応。

(特許第3292723号) (US 6,566,747)

USB Bタイプ（電鋳基板）

基板フレームはSUS板へNi電鋳で配線したt65μmで形成。
モールド封止後にSUS板を剥がすので、薄型化を実現。
Ni電鋳配線のオーバーハング部（10～35μm）が、リード抜けを防止。
外装処理は金(Au)0.2～0.7μmで鉛フリー対応。

USB Cタイプ（銅フレーム）

基板フレームは銅(Cu)t0.2㎜，t0.15㎜の2種類。
リード部のブラインドビア(窪み)で、実装時のフィレット形成と検査視認性が向上。
銅(Cu)基板の使用で、放熱性が有利。
外装処理はNi＋Pd(0.05～0.2μm)＋フラッシュAu(0.005μm)、またはSnBiの2種類が可能。鉛フリー対応。
モールド樹脂はハロゲンフリー樹脂で環境に配慮。

(特許第4004445号)

一括封止による透明樹脂パッケージ

トランスファー成形(Transfer molding)で一括封止を行うため、従来の封止方法に比べて無駄を抑えた多数取りが可能です。

一般的な液状樹脂タイプに比べて作業効率が良く、材料費が低く抑えられる。
金型成形の為、表面加工が容易となり、鏡面、梨地面の選択が可能。よって平坦性にも有利になる。
MAP基板方式であるため、基板の反りを最小限に抑え、一度に多数個取りが可能。

樹脂封止での中空パッケージ構造

SAWフィルタ，MEMS，各種センサー等で利用される中空構造のパッケージを熱硬化樹脂での開発により、低コストでの量産化を実現しました。樹脂成形に見られる各種の課題についても、モールド金型の設計、基板デザインや各種素材の選定、そして封止条件（温度、時間、圧力）の評価により解決しています。

一括封止工法と基材の選定により、セラミック基板と比べて大きなコストダウンを実現。
※当社比でMAX38％DOWN
モールド成形による内壁で、要望の形にデザインが可能に。
上面は接着剤によりキャップで封止。完全気密を求めない、デバイス表面を露出する用途のセンサー等の多数取りが可能。
PCB基板に樹脂モールドで基礎外形を作り内部にICを搭載して配線を実施。

部分露出パッケージング技術

MEMSやパワー系搭載部品の一部を露出させたパッケージの生産において、熱硬化樹脂を使用することで、より低コストで開発しました。搭載素子・部品等でPKGのインパクト的に露出させたい製品に適しています。

従来の同様なパッケージで懸念されたモールドの成形性や露出部品へのストレスといった課題も、多岐にわたる材料選定と加工条件の設定等で適切な状態に達しています。

MAP基板方式の採用により、一度の封止工程で多数個取りが可能に。
ICのウラ面や搭載部品等のオモテ面ないしウラ面に露出部分を設けられる。
フッ素フィルムを使用したモールド装置（金型）の採用により、表面露出部分への金型クランプ時の荷重ストレスを緩和。
パッケージごとに一品一様のモールド金型や切断型が不要。そのためイニシャル費用の低減化が可能に。
全面封止（フル・モールド）と比較して、パッケージの薄型化や放熱性も向上される。

主な生産パッケージ仕様一覧

USB-A（Ultra Small Board：
ノンリード・ガラエポ基板）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
4	2.10 x 1.40 x t0.60	0.65	glass epoxy	1.10 x 0.76 x t0.20
4	1.30 x 0.90 x t0.55	0.50	glass epoxy	0.60 x 0.60 x t0.15
4	1.50 x 2.00 x t0.65	0.80	glass epoxy	0.53 x 0.53 (2chip)
6	2.00 x 1.80 x t0.85	0.50	glass epoxy	1.00 x 1.40 x t0.27	USB6A0.85
6	2.00 x 1.80 x t0.70	0.50	glass epoxy	1.00 x 1.40 x t0.25	USB6A0.70	image
10	2.00 x 2.80 x t0.80	0.50	glass epoxy	1.00 x 2.40 x t0.28	USB10A0.80

USB-B（Ultra Small Board：
ノンリード・Ni電鋳転写リード）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)
3	1.20 x 1.20 x t0.60	0.60	(Ni) electro- forming	0.54 x 0.84 x t0.20	USB3B0.60
4	1.20 x 1.60 x t0.60	0.60	(Ni) electro- forming	0.60 x 0.80 x t0.25	USB4B0.60
6	2.00 x 1.80 x t0.60	0.50	(Ni) electro- forming	0.82 x 1.22 x t0.20	USB6B0.60
6	2.00 x 1.80 x t0.70	0.50	(Ni) electro- forming	0.82 x 1.22 x t0.20	USB6B0.70
10	2.60 x 2.90 x t0.60	0.50	(Ni) electro- forming	1.40 x 2.30 x t0.21	USB10B0.60
12	2.30 x 2.80 x t0.60	0.40	(Ni) electro- forming	1.10 x 1.00 x t0.20 (Ag paste)	USB12B0.60
12	2.30 x 2.80 x t0.60	0.40	(Ni) electro- forming	1.30 x 1.10 x t0.25 (dielectric:絶縁)	USB12B0.60

USB-C（Ultra Small Board：
ノンリード・Cu frame）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
4	1.40 x 1.20 x t0.35	0.50	Cu	0.82 x 0.90 x t0.10	USB4C0.35
4	1.40 x 1.20 x t0.40	0.50	Cu	0.82 x 0.90 x t0.10	USB4C0.40
4	1.40 x 1.20 x t0.60	0.50	Cu	0.82 x 0.90 x t0.15
6	2.00 x 1.80 x t0.70	0.50	Cu	1.25 x 1.45 x t0.15		image
8	5.00 x 4.50 x t0.75	1.00	Cu	2.50 x 3.50 x t0.25	USB8C1.00

LNC（Lead Number Choose：
ノンリード・ガラエポ基板）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
4	2.85 x 1.15 x t0.75	0.65	glass epoxy	1.85 x 0.75 x t0.25
6	2.85 x 1.80 x t0.75	0.65	glass epoxy	1.85 x 1.40 x t0.25	LNC6A
8	2.85 x 2.45 x t0.65	0.65	glass epoxy	1.85 x 2.05 x t0.25		image
10	2.85 x 3.10 x t0.80	0.65	glass epoxy	1.85 x 2.70 x t0.25
12	2.85 x 1.80 x t0.80	0.65	glass epoxy	1.80 x 3.35 x t0.25		image
14	2.85 x 4.40 x t0.80	0.65	glass epoxy	1.85 x 4.00 x t0.25

QFN（Quad Flat Non-leaded：
ノンリード・ガラエポ基板）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
6	1.00 x 1.20 x t0.45	0.80	glass epoxy	0.70 x 0.50 x t0.13	QFN6A0.45
6	2.00 x 1.80 x t0.45	0.80	glass epoxy	0.68 x 1.22 x t0.13
8	1.50 x 1.50 x t0.60	0.50	glass epoxy	0.80 x 0.80 x t0.25	QFN8A0.60	image
8	1.50 x 1.50 x t0.80	0.50	glass epoxy	0.80 x 0.80 x t0.25	QFN8A0.80
10	1.50 x 2.00 x t0.80	0.50	glass epoxy	0.80 x 0.80 x t0.30	QFN10A0.60	image
12	2.35 x 2.35 x t0.80	0.50	glass epoxy	1.65 x 1.65 x t0.30	QFN12A0.80	image
16	2.85 x 2.85 x t0.80	0.50	glass epoxy	1.95 x 1.95 x t0.25	QFN16A0.80

MCM（Multi Chip Module：
ノンリード・ガラエポ基板）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)
20	4.30 x 4.60 x t0.80	0.60	glass epoxy	1.40 x 1.90 x t0.20
20	4.30 x 4.60 x t0.80	0.60	glass epoxy	0.85 x 0.85 x t0.20
20	4.30 x 4.60 x t0.80	0.60	glass epoxy	1.10 x 1.10 x t0.20

DFN（Dual Flat No Lead：
ノンリード・Cu frame）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
6	1.20 x 1.20 x t0.40	0.40	Cu	0.52 x 1.00 x t0.10	DFN6C0.40

SOT-23（リードパッケージ・Cu frame）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
3	1.60 x 2.90 x t1.10	1.90	Cu	1.00 x 1.00	SOT23	image
5	1.60 x 2.90 x t1.10	0.95	Cu	1.30 x 1.00	SOT25	image
6	1.60 x 2.90 x t1.10	0.95	Cu	1.30 x 0.80	SOT26
6w	1.80 x 2.90 x t1.10	0.95	Cu	1.30 x 1.00	SOT26W	image

SOT-89（リードパッケージ・Cu frame）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
3	2.50 x 4.50 x t1.50	1.50	Cu	1.50 x 1.30	SOT89-3	image
5	2.50 x 4.50 x t1.50	1.50	Cu	1.50 x 1.30	SOT89-5	image

SOP（リードパッケージ・Cu frame）

pin	package size (mm)	lead pitch (mm)	substrate (lead frame)	max. chip size (mm)	data sheet (PDF)	sample
8	4.40 x 5.20 x t1.50 (C type)	1.27	Cu	3.60 x 2.10	SOP8C	image
8	4.40 x 5.20 x t1.50 (D type)	1.27	Cu	3.60 x 2.10	SOP8D
8	4.40 x 5.20 x t1.50 (F type)	1.27	Cu	3.60 x 2.10	SOP8F
8	3.9 x 6.0 x 1.6	1.27	Cu	-	8-SOIC	image
16	4.4 x 6.4 x 1.0	0.65	Cu	-	16-TSSOP	image
20	4.40 x 6.4 x 1.1	0.65	Cu	-	20-TSSOP	image
24	5.3 x 7.9 x 1.9	0.65	Cu	-	24-SSOP	image
24	5.6 x 7.6 x 1.1	0.65	Cu	-	24-TSSOP	image

半導体製造後工程受託

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　また、温度・湿度管理、塵埃・静電気対策された環境のご案内もできます。

半導体 / MEMSパッケージの試作開発サービス

パッケージ設計・試作・信頼性試験まで製品化のお手伝いをします。
信頼性・実装性を満足させながら小型化・低背化を実現するパッケージ設計と共に、最適な材料や設備選定により高機能とコストパフォーマンスの融合した工程設計にて多様なニーズに応えるご提案をします。

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